杨劲
【姓名】 杨劲
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MIS结构,体电荷面密度,电荷特性,界面陷阱,雪崩注入,快速热氮化,雪崩,陷饼,SiO_x,膜电荷,雪崩热电子注入,介质膜,体电荷,再氧化,氮化,回转效应,注入剂量,电荷,重心位置,光电流,
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】 广州
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[1]陈蒲生,杨劲.MIS结构中快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性[J]固体电子学研究与进展.1992,(01)
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