王茂菊
【姓名】 王茂菊
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 深亚微米芯片的建模、仿真
【发表文献关键词】 薄栅氧化物,斜坡电压法,薄栅氧化层,经时绝缘击穿,可靠性评价,寿命,高加速应力试验,极限应力试验,高加速寿命试验,高加速应力筛选,TDDB,击穿参数,击穿电压,击穿电荷量,物理模型,超大规模集成电路,...
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】 广东广州
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/3 1 3 2 20 1025
中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]王茂菊;李斌;章晓文;陈平;韩静;.薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究[J]电子器件.2006,(03)
[2]杨春虹;李斌;来萍;王茂菊;恩云飞;.高加速应力试验及极限应力试验综述[J]电子与封装.2006,(10)
[3]王茂菊,李斌,章晓文,陈平,韩静.薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价[J]微电子学.2005,(04)
更多