学者知网节

【姓名】	田浦延
【职称】	工程师;
【研究领域】	物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】	芯片设计、系统集成方面的研究开发工作
【发表文献关键词】	霍尔系数极值,极值因数,晶向硅,快速热氮化,p型半导体,超薄SiO2膜,磁电效应,电子隧穿,封装胶,隧穿,SiO2膜,电流传输比,光电耦合器,超薄快速,热氮化,电流传输特性,隔离电压,绝缘电压,绝缘距...
【工作单位】	华南理工大学
【曾工作单位】	华南理工大学;
【所在地域】	广州

中国期刊全文数据库 共找到6篇

[1]冯文修,张恒,陈蒲生,田浦延.从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性[J]华南理工大学学报(自然科学版).2003,(10)

[2]田浦延,陈蒲生.光电耦合器的结构设计及封装胶特性分析[J]固体电子学研究与进展.2005,(03)

[3]冯文修,刘剑,陈蒲生,田浦延.p型半导体霍尔系数极值新结论的理论与实验验证[J]华南理工大学学报(自然科学版).2000,(11)

[4]冯文修,陈蒲生,田浦延,刘剑.电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO_2膜的电流增强及模型解释[J]半导体学报.2001,(11)

[5]冯文修,田浦延,陈蒲生,刘剑.电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)[J]华南理工大学学报(自然科学版).2001,(03)

[6]田浦延,陈蒲生,布良基,冯文修.光电耦合器的封装胶特性分析[J]华南理工大学学报(自然科学版).2002,(09)

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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