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[1]陈蒲生,陈闽捷,张昊,刘小阳,王锋.低温PECVD法形成纳米级介质膜微观结构研究[J]固体电子学研究与进展.2004,(03)
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[2]张昊,陈蒲生,田小峰,冯文修,刘小阳.纳米级富氮SiO_xN_y薄膜的电子注入损伤研究[J]半导体技术.2000,(01)
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[3]陈蒲生,张昊,冯文修,田小峰,刘小阳,曾绍鸿.富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性[J]华南理工大学学报(自然科学版).2001,(02)
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[4]陈蒲生,张昊,冯文修,刘剑,刘小阳,王锋.PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析[J]半导体技术.2002,(07)
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[5]陈蒲生,张昊,冯文修,章晓文,刘小阳,曾绍鸿.PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱的物理模型[J]固体电子学研究与进展.2002,(04)
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[6]陈蒲生，王川，刘小阳，王岳，曾绍鸿.PECVD法低温制备富氮的SiO_xN_y栅介质膜及其特性[J]华南理工大学学报(自然科学版).1995,(12)
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[7]陈蒲生,冯文修,王川,王锋,刘小阳,田万廷,曾绍鸿.用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性[J]半导体学报.1997,(10)
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[8]陈蒲生,王川,冯文修,王锋,刘小阳,田万廷.PECVD法低温形成新型SiO_xN_y薄膜的界面特性研究[J]固体电子学研究与进展.1997,(02)
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