林广涌
【姓名】 林广涌
【职称】
【研究领域】 无机化工;自动化技术;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 纳米级粉末,二氧化锡,复合材,制备工艺,韧化机制,气体传感,颗粒度,纳米粉末,SiC晶须,颗粒,SnO_2,超细粉,粉末粒径,PTCR,增韧,氧化锆,力学性能,气敏元件,煅烧温度,热敏元件,镍,导电填...
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】 广州
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[1]饶平根,陈玉如,叶建东,林广涌,徐之文.GPS ZrO_2(Y_TZP)_Si_3N_4复合材料的显微结构[J]华南理工大学学报(自然科学版).1999,(10)
[2]吴柏源,伍建新,江美玉,林广涌.无团聚纳米级SnO_2粉末及其气敏元件的制备[J]电子元件与材料.1996,(05)
[3]林广涌,吴柏源,雷廷权,周玉.ZrO_2增韧Al_2O_3／SiCw陶瓷复合材料研究[J]华南理工大学学报(自然科学版).1996,(07)
[4]吴柏源,伍建新,江美玉,林广涌.制备工艺对SnO_2超细粉颗粒度的影响[J]华南理工大学学报(自然科学版).1996,(07)
[5]吴柏源,尧明旺,江美玉,林广涌.一种新型的性能优良的PTCR材料[J]电子元件与材料.1997,(02)
[6]宋桂明,周玉,林广涌,贾德昌,雷廷权.SiC_w/ZrO_2(6mol%Y_2O_3)陶瓷中晶须增韧的数值模型[J]无机材料学报.1998,(05)
[7]华子乐,严松浩,林广涌,饶平根.结构陶瓷放电加工过程的蚀除机理[J]陶瓷工程.1998,(05)
[8]林广涌,饶平根,王黎,严松浩,杨以文.TiN(Ni) 对 GPS Si_3N_4 复合材料导电性能的影响[J]中国陶瓷.1998,(03)
[9]华子乐,严松浩,林广涌,饶平根.工程陶瓷放电加工的蚀除机理[J]材料导报.1998,(05)
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[1]林广涌;雷廷权;周玉;.SiC晶须对陶瓷基复合材料基体中ZrO_2t-m相变的影响[A].94'全国结构陶瓷、功能陶瓷、金属/陶瓷封接学术会议论文集.1994-10-20
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