陈斗南
【姓名】 陈斗南
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 介质膜,氮化,破坏性击穿,击穿机理,电流传输,隧穿,外加电场,陷阱,氮氧化硅,电流传导,SRT传感器,击穿特性,带隙,永久性击穿,电子陷阱,封装,模型,材料结构,氮化时间,碰撞电离,无水氨,氮化氧化物...
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】 广州
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[1]罗南林,杨春晖,刘百勇,陈斗南.SRT传感器的封装热学特性研究[J]仪表技术与传感器.1999,(03)
[2]陈斗南,刘百勇,郑学仁.薄Si_xO_yN_z膜击穿机理的研究[J]物理学报.1989,(01)
[3]郑学仁,刘百勇,陈斗南.薄热氮氧化硅介质膜中的电流传导机构[J]物理学报.1989,(03)
[4]杨炳良,刘百勇,陈斗南,郑耀宗.SiO_xN_y薄膜的微观结构与新的电流传输机理模型[J]物理学报.1991,(02)
[5]林国兴,陈斗南.在无水氨气中氮化的氧化物击穿特性的研究[J]华南师范大学学报(自然科学版).1993,(01)
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