曾绍洪
【姓名】 曾绍洪
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 预沉积,线性“与或”门,二氧化硅,外延单晶薄膜,扩散机理,T门,二氧化硅层,基区,杂质,固相外延,硅单晶,NiSi,集成电路,薄法,单晶薄膜,扩散系数,局部化学,TEM分析,硼扩散,三值T门,晶格完整...
【工作单位】 华南工学院
【曾工作单位】 华南工学院;
【所在地域】
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[1]骆桂良,李观启,曾勇彪,廖亦水,曾绍洪.关于硼杂质在二氧化硅中扩散机理的探讨[J]半导体技术.1984,(06)
[2]刘百勇,郑学仁,黄兆俊,曾绍洪.三值“阈”门和T门集成电路的实现[J]电子学报.1985,(03)
[3]黄贤芳,关中凡,李一之,陈文艳,曾绍洪,柯行生.NiSi_2外延单晶薄膜TEM分析样品的制备方法——两步局部化学减薄法[J]半导体技术.1986,(02)
[4]李一之,关中凡,黄贤芳,梁胜辉,柯行生,陈文艳,曾绍洪.用固相外延技术在硅单晶衬底上形成NiSi_2单晶薄膜的研究[J]半导体技术.1986,(04)
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