尹洪辉
【姓名】 尹洪辉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 发射区陷落效应,发射区,平面器件,基区,层错,磷扩散,诱生缺陷,表面浓度,晶体管,芯片,位模型,杂质扩散,扩散杂质,扩散时间,结深,硼扩散,三氯乙稀,实验观察,双极型晶体管,空位流,
【工作单位】 华南工学院
【曾工作单位】 华南工学院;
【所在地域】
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[1]尹洪辉,孟福坤,许立宪.硅平面器件制造中锈生缺陷与发射区陷落效应[J]半导体技术.1983,(02)
[2]赵寿南,梁汉成,尹洪辉.红外光弹法研究硅单晶主应力分布[J]红外研究(A辑).1987,(01)
[3]覃甘明,梁汉成,赵寿南,尹洪辉.硅晶片应力的红外光弹测量[J]红外研究(A辑).1988,(02)
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