关中凡
【姓名】 关中凡
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 外延单晶薄膜,固相外延,硅单晶,NiSi,薄法,单晶薄膜,局部化学,TEM分析,晶格完整性,电子通道花样,样品的制备,通道,保护气氛热处理,真空热处理,腐蚀液,金属硅化物,单晶,氧化层,真空,保护气氛...
【工作单位】 华南工学院
【曾工作单位】 华南工学院;
【所在地域】
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[1]黄贤芳,关中凡,李一之,陈文艳,曾绍洪,柯行生.NiSi_2外延单晶薄膜TEM分析样品的制备方法——两步局部化学减薄法[J]半导体技术.1986,(02)
[2]李一之,关中凡,黄贤芳,梁胜辉,柯行生,陈文艳,曾绍洪.用固相外延技术在硅单晶衬底上形成NiSi_2单晶薄膜的研究[J]半导体技术.1986,(04)
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