郭志球
【姓名】 郭志球
【职称】
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;
【研究方向】 光电材料的研究
【发表文献关键词】 硅太阳电池,降低成本,提高效率,制备工艺,多晶硅片,各向同性腐蚀,酸性腐蚀,太阳电池,薄膜沉积,沉积温度,晶体生长,晶体取向,表面反射率,微裂纹,膜生长速率,腐蚀速度,反应速度,薄膜生长,绒面结构,制...
【工作单位】 华南理工大学
【曾工作单位】 华南理工大学;
【所在地域】 广东广州
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[1]郭志球;沈辉;刘正义;闻立时;.太阳电池研究进展[J]材料导报.2006,(03)
[2]郭志球;柳锡运;沈辉;刘正义;.各向同性腐蚀法制备多晶硅绒面[J]材料科学与工程学报.2007,(01)
[3]胡芸菲;沈辉;柳锡运;郭志球;刘正义;.温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响[J]华南理工大学学报(自然科学版).2007,(04)
[4]郭志球,胡芸菲,沈辉,刘正义.晶体硅太阳电池制备工艺进展[J]能源工程.2005,(03)
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