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[2]张昊,陈蒲生,田小峰,冯文修,刘小阳.纳米级富氮SiO_xN_y薄膜的电子注入损伤研究[J]半导体技术.2000,(01)
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[3]陈蒲生,章晓文,冯文修,张昊,曾绍鸿.雪崩热电子注入研究富氮SiO_xN_y纳米级薄膜的陷阱特性[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)
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[4]冯文修,刘剑,陈蒲生,田浦延.p型半导体霍尔系数极值新结论的理论与实验验证[J]华南理工大学学报(自然科学版).2000,(11)
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[5]冯文修,陈蒲生,田浦延,刘剑.电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO_2膜的电流增强及模型解释[J]半导体学报.2001,(11)
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[6]陈蒲生,张昊,冯文修,田小峰,刘小阳,曾绍鸿.富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性[J]华南理工大学学报(自然科学版).2001,(02)
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[7]冯文修,田浦延,陈蒲生,刘剑.电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)[J]华南理工大学学报(自然科学版).2001,(03)
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[8]陈蒲生,张昊,冯文修,刘剑,刘小阳,王锋.PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析[J]半导体技术.2002,(07)
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[9]田浦延,布良基,陈蒲生,冯文修.光电耦合器的结构设计及封装特点[J]半导体技术.2002,(11)
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[10]陈蒲生,张昊,冯文修,章晓文,刘小阳,曾绍鸿.PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱的物理模型[J]固体电子学研究与进展.2002,(04)
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