朱荣锦
【姓名】 朱荣锦
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多孔硅,表面处理技术,阴极还原,下拉电压,MEMS,RFMEMS开关,移相器,铝硅合金,阈值电压,隔离度,插入损耗,ANSYS软件,可动薄膜,MEMS开关,悬臂梁,开关,悬臂式,毫米波相移器,驱动电压...
【工作单位】 华东师范大学
【曾工作单位】 华东师范大学;
【所在地域】 上海
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[1]徐钰;石艳玲;沈迪;胡红梅;忻佩胜;朱荣锦;刘赟;蒋菱;.Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响[J]固体电子学研究与进展.2007,(02)
[2]詹国钟;郭方敏;黄静;朱荣锦;.光电传感器读出电路的参数可调控制研究[J]红外技术.2008,(08)
[3]郭方敏,朱自强,赖宗声,朱守正,朱荣锦,忻佩胜,范忠,贾铭,程知群,杨根庆.压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜[J]半导体学报.2003,(06)
[4]虞献文,朱荣锦,朱自强,应桃开,李爱珍.多孔硅的干燥方法[J]半导体学报.2003,(06)
[5]郭方敏,赖宗声,朱自强,贾铭,初建朋,范忠,朱荣锦,戈肖鸿,杨根庆,陆卫.悬臂式RF MEMS开关的设计与研制[J]半导体学报.2003,(11)
[6]龙永福,石艳玲,赖宗声,朱自强,朱荣锦,忻佩胜,李炜.偏置电压对射频/微波MEMS电容开关寿命的影响[J]微电子学.2004,(01)
[7]徐欣,郭方敏,葛羽屏,李成诗,于绍欣,朱荣锦,赖宗声,朱自强,王跃林,陆卫.MEMS悬臂式开关的失效分析[J]传感技术学报.2004,(03)
[8]郭方敏,朱守正,魏华征,郑莹,朱荣锦,忻佩胜,朱自强,赖宗声,杨根庆,陆卫.相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制[J]华东师范大学学报(自然科学版).2004,(01)
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