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孟福坤
【姓名】
孟福坤
【职称】
【研究领域】
物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
发射区陷落效应,发射区,平面器件,基区,层错,磷扩散,诱生缺陷,表面浓度,晶体管,芯片,位模型,杂质扩散,扩散杂质,扩散时间,结深,硼扩散,三氯乙稀,实验观察,双极型晶体管,空位流,
【工作单位】
华南工学院
【曾工作单位】
华南工学院;
【所在地域】
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共找到2篇
[1]尹洪辉,孟福坤,许立宪.
硅平面器件制造中锈生缺陷与发射区陷落效应
[J]半导体技术.1983,(02)
[2]庄述鹿;孟福坤;.
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