邓丙成
【姓名】 邓丙成
【职称】 讲师;
【研究领域】 无线电电子学;化学;物理学;
【研究方向】 半导体表面结构与性质的研究
【发表文献关键词】 总能计算,As三聚体模型,Si,表面,6H-SiC(0001),表面终止状态,GaAs,LEED,表面重构,原子结构,原子,6H-SiC,三聚体,表面原子,总能,方法研究,最小化,复合层,重构表面,元...
【工作单位】 华南建设学院
【曾工作单位】 华南建设学院;
【所在地域】 广州
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[1]谭忠民,邓丙成.ATLEED对表面结构分析的可靠性研究[J]原子与分子物理学报.2000,(01)
[2]邓丙成,余招贤,徐耕.总能最小化方法研究GaAs()(2×2)重构表面[J]华南建设学院西院学报.2000,(02)
[3]邓丙成,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤.Si(111)-(3~(1/2)×3~(1/2))R30°-Ga表面原子结构[J]半导体学报.2001,(04)
[4]邓丙成,陈滢,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤.ATLEED研究6H-SiC(0001)(3~(0.5)×3~(0.5))R30°重构表面[J]物理学报.2001,(01)
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