王济身
【姓名】 王济身
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SIPOS,掺氧多晶硅,质子核磁共振,a-Si,含氧量,掺杂,窄线,光电导特性,宽线,低压化学汽相淀积,膜结晶,PECVD,氧量,测量和分析,半高宽,性质研究,NMR谱,淀积温度,LPCVD,电子科学...
【工作单位】 华东师范大学
【曾工作单位】 华东师范大学;
【所在地域】 上海
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[1]王济身;徐静芳;陈建武;邹世昌;林成鲁;倪如山;.硼离子注入多晶硅薄膜的电学性质[J]电子学报.1984,(03)
[2]许春芳,陈永兴,陈琳,王济身,周文华.等离子体气氛中器件失效机理讨论[J]微电子学与计算机.1986,(06)
[3]王济身,许春芳,金克彪,赵成斌.a-Si:H和a-SiN:H薄膜的质子核磁共振研究[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[4]王济身,许春芳,赵成斌,洪建彬.PECVD a-Si:H薄膜及光电导特性测量和分析(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[5]潘尧令,王云珍,王济身.掺氧多晶硅(SIPOS)薄膜结晶学性质研究[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
[6]潘尧令,王云珍,王济身.LPCVD掺氧多晶硅电学特性研究[J]电子科学学刊.1991,(04)
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