龙永福
【姓名】 龙永福
【职称】 讲师;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】 半导体材料、数值模拟与微波
【发表文献关键词】 微波/射频,多孔硅/氧化多孔硅,损耗,开启时间,介质膜,MEMS开关,电容比,可动薄膜,氧化多孔硅,MEMS,膜开关,多孔硅,后处理,过氧化氢,MEMS膜开关,理论模型,开关,数值计算,维持电压,低损...
【工作单位】 华东师范大学
【曾工作单位】 华东师范大学;
【所在地域】 湖南常德
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[1]龙永福,朱自强,赖宗声.用过氧化氢后处理多孔硅厚膜的一种新技术(英文)[J]半导体学报.2003,(06)
[2]龙永福,赖宗声,朱自强.高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟[J]微波学报.2003,(01)
[3]龙永福,石艳玲,赖宗声,朱自强,朱荣锦,忻佩胜,李炜.偏置电压对射频/微波MEMS电容开关寿命的影响[J]微电子学.2004,(01)
[4]龙永福,朱自强,赖宗声,忻佩胜,石艳玲.用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜[J]半导体学报.2002,(06)
[5]龙永福,朱自强,赖宗声,郭方敏,石艳玲.射频/微波MEMS Shunt开关的开启时间研究[J]电子学报.2002,(08)
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