翁丽敏
【姓名】 翁丽敏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 等离子体气相淀积,非晶氢化氮化硅薄膜,介质膜,超大规模集成电路,质子核磁共振,氢原子,PETEOS氧化硅,氮化硅,击穿,脉冲应力,膜的成分,PECVD,a-Si,陷阱电荷密度,核磁共振,氧化硅,NMR...
【工作单位】 华东师范大学
【曾工作单位】 华东师范大学;
【所在地域】 上海
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[1]范焕章,王刚宁,翁丽敏,汪静,黎想.脉冲电压下介质膜的击穿寿命[J]华东师范大学学报(自然科学版).1999,(03)
[2]许春芳,范焕章,何弈骅,王刚宁,翁丽敏.PETEOS氧化硅膜的成分与电荷特性[J]华东师范大学学报(自然科学版).1996,(03)
[3]翁丽敏,何奕骅,范焕章,许春芳,杨光,邬学文.PECVD a-SiNx:H的~1H NMR研究[J]华东师范大学学报(自然科学版).1998,(03)
[4]何奕骅,翁丽敏,许春芳,杨光,邬学文.PECVD a-SiNx∶H薄膜中的氢分布[J]波谱学杂志.1998,(04)
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