桂为敏
【姓名】 桂为敏
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 VLSI互连,电阻比,金属薄膜,百分比浓度,薄层,互连金属,监视器,电子科学技术,电阻率,硅原子,中位寿命,B和C,华东师范大学,试验应力,薄层电阻,电迁移,电流密度,电迁移失效,剩余电阻率,迁移能力,
【工作单位】 华东师范大学
【曾工作单位】 华东师范大学;
【所在地域】 上海
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[1]贺德洪,张蓓榕,范焕章,孙莉,桂为敏.用薄层电阻比评估VLSI互连金属薄膜可靠性[J]华东师范大学学报(自然科学版).1997,(03)
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