杨臣华
【姓名】 杨臣华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 HgCdTe,CdTe,表面形貌,MOCVD法,GaAs衬底,异质材料,生长速率,过渡层,GaAS,单晶,外延层,GaAs异质结构,透过率,特性研究,上生,x值,工艺研究,迁移率,半宽度,典型样品,G...
【工作单位】 华北光电技术研究所
【曾工作单位】 华北光电技术研究所;
【所在地域】 北京
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[1]陈记安,杨臣华,丁永庆,彭瑞伍.MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料的特性研究[J]激光与红外.1990,(01)
[2]丁永庆,彭瑞伍,陈记安,杨臣华.MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料工艺研究[J]激光与红外.1990,(03)
[3]杨臣华;陈记安;.MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质结材料工艺和性能研究[J]功能材料.1991,(01)
[4]丁永庆,彭瑞伍,陈记安,杨臣华,陈美霓.MOCVD法在GaAs衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe和过渡层研究[J]稀有金属.1993,(02)
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