陈记安
【姓名】 陈记安
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 HgCdTe,表面形貌,MOCVD法,HgCdTe薄膜,异质材料,生长速率,GaAs衬底,外延层,生长方法,单晶,气流分布形态,GaAs异质结构,组份均匀性,测试结果,透过率,CdTe,薄膜晶体,特性...
【工作单位】 华北光电技术研究所
【曾工作单位】 华北光电技术研究所;
【所在地域】 北京
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[1]陈记安，刘克岳，李贤春，赵振香.有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究[J]红外与激光技术.1995,(06)
[2]陈记安;杨焕文;.碲溶剂法生长碲镉汞晶体的特点[J]激光与红外.1980,(05)
[3]陈记安;.碲溶剂法生长碲镉汞晶体输运方程的初步探讨[J]激光与红外.1980,(05)
[4]常引秀;韩季之;陈记安;.红外光谱法测定Hg_xCd_(1-x)Te晶体的X值[J]激光与红外.1980,(05)
[5]赖德生;关振东;陈记安;.碲熔剂法生长Hg_(1-x)Cd_xTe熔点测量[J]激光与红外.1980,(11)
[6]李肇瑞;陈记安;.碲镉汞晶体电学参数分布的研究[J]激光与红外.1981,(05)
[7]陈记安,赖德生,余惠玲,关振东.富Te碲镉汞母液的动态液相温度测量[J]红外研究(A辑).1986,(05)
[8]陈记安.HgCdTe外延片组份值的简易省时判别法[J]红外研究(A辑).1986,(05)
[9]陈记安,杨臣华,丁永庆,彭瑞伍.MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料的特性研究[J]激光与红外.1990,(01)
[10]陈记安.MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体的发展趋势[J]激光与红外.1990,(03)
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