陈美霓
【姓名】 陈美霓
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 CdTe,GaAs衬底,HgCdTe,过渡层,MOCVD法,GaAS,上生,GaAs,生长速率,HgCdTe材料,透过率,文献,外延层,有机源,过渡层厚度,红外,分压比,电学性质,俄歇,MOCVD,
【工作单位】 华北光电技术研究所
【曾工作单位】 华北光电技术研究所;
【所在地域】
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[1]丁永庆,彭瑞伍,陈记安,杨臣华,陈美霓.MOCVD法在GaAs衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe和过渡层研究[J]稀有金属.1993,(02)
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