颜一凡
【姓名】 颜一凡
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;数学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 势垒,非晶硅,Stieltjes积分,基本物理参数,栅介质,氢化非晶硅,隙态密度,Riemann,HFET,双极性,场效应晶体管,隙态,磷掺杂固相效率,磷掺杂,非模型,静态分析,硼掺杂,过剩电子密度,...
【工作单位】 湖南大学
【曾工作单位】 湖南大学;
【所在地域】 长沙
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[1]颜一凡.传统 PECVD高品质氢化非晶硅的淀积率[J]固体电子学研究与进展.2004,(03)
[2]颜一凡.传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配[J]固体电子学研究与进展.2001,(04)
[3]颜一凡.a-Si∶H磷掺杂机理[J]固体电子学研究与进展.1999,(01)
[4]颜一凡.α－Si：H磷掺杂固相效率和相关分配系数[J]固体电子学研究与进展.1996,(03)
[5]颜一凡.A-Si∶H磷掺杂固相效率[J]湖南大学学报(自然科学版).1997,(01)
[6]颜一凡;.分析非晶硅肖特基势垒剖面的一种新方法[J]湖南大学学报.1984,(03)
[7]颜一凡;唐元洪;.等价的非晶硅隙态密度分布[J]湖南大学学报(自然科学版).1988,(02)
[8]颜一凡.M/a-Si势垒的静态分析[J]湖南大学学报.1989,(02)
[9]颜一凡.Riemann-Stieltjes积分与M/α-Si势垒静态分析[J]固体电子学研究与进展.1990,(01)
[10]颜一凡,刘正元,何丰如.氢化非晶硅双极性场效应晶体管[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
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