樊卫
【姓名】 樊卫
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;互联网技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 BJMOSFET,阻断能力,PSpice模拟分析,双注入,直流特性,模拟,结型场效应晶体管,PSPICE,结型场效应管,静态特性,PSpice,JFET,计算机模拟,沟道,模拟分析,解析模型,双极型器...
【工作单位】 湖南大学
【曾工作单位】 湖南大学;
【所在地域】 湖南长沙
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[1]金湘亮,曾云,颜永红,成世明,龚磊,盛霞,樊卫.BJMOSFET静态特性的解析模型及模拟分析[J]功能材料与器件学报.2001,(02)
[2]樊卫,曾云,盛霞,晏敏.BJFET阻断能力分析及计算机模拟[J]半导体技术.2002,(10)
[3]曾云,盛霞,樊卫,马群刚.BJFET直流特性的PSpice模拟分析[J]固体电子学研究与进展.2002,(02)
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[1]樊卫.WT8820 Windows终端的设计及其研制[D].湖南大学.2003
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