郑滨
【姓名】 郑滨
【职称】 副教授;
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】 大学物理实验教学方面的研究
【发表文献关键词】 MESFET,模型,IP芯核,KDP晶体,生长技术,散射颗粒,激光损伤阈值,系统级芯片,物理参数,多芯片模块,微电子机械系统,晶体材料,MEMS,GaAs,研究进展,等效电路参数,等效电路模型参数,模...
【工作单位】 河北科技大学
【曾工作单位】 河北科技大学;
【所在地域】 石家庄
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[1]李新政;郑滨;.晶体中光电子涨落的影响因素[J]半导体技术.2006,(07)
[2]谢英明;李新政;郑滨;杨兰兰;.KDP(KH_2PO_4)晶体材料的研究进展[J]河北工业科技.2006,(06)
[3]李新政;郑滨;.长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算[J]半导体技术.2008,(10)
[4]郑滨.基于物理的GaAs MESFET模型参数计算[J]半导体情报.2000,(01)
[5]吴洪江,郑滨.SOC的现状与发展[J]半导体情报.2001,(04)
[6]郑滨;.基于学生使用的物理实验数据处理界面的设计[J]物理通报.2003,(12)
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