张富强
【姓名】 张富强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 EL2,费米能级,弛豫半导体,半绝缘,霍尔测量,电子注入接触,空穴注入接触,电离率,GaAs,空间电荷区,半绝缘LECGaAs,霍耳测量,电势波动,非掺杂半绝缘LECGaAs,纳米复合材料,势波,偶联...
【工作单位】 河北工业大学
【曾工作单位】 河北工业大学;
【所在地域】 天津
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[1]任丽,王立新,张富强,刘盘阁.PPy/APS-SiO_2纳米导电复合材料的合成与表征[J]高分子材料科学与工程.2004,(06)
[2]张富强,杨瑞霞,付浚,于海霞.半绝缘GaAs电传输特性[J]半导体杂志.2000,(02)
[3]杨瑞霞,付浚,于明,于海霞,张富强.杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响[J]半导体杂志.2000,(04)
[4]张富强,杨瑞霞,付浚.双侧金属接触半绝缘GaAs的电传输特性[J]河北工业大学学报.2000,(06)
[5]贾晓华,杨瑞霞,于海霞,张富强.未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系[J]河北工业大学学报.1999,(05)
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