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[1]刘彩池;郝秋艳;陈洪建;张恩怀;孙军生;.依托学科优势建设校内实习基地[J]教育教学论坛.2015,(49)
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[2]张维连,赵红生,陈洪建,孙军生,张恩怀.掺锗直拉硅体单晶的生长[J]固体电子学研究与进展.2004,(02)
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[3]张维连,牛新环,吕海涛,张恩怀,孙军生.掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性[J]人工晶体学报.2004,(05)
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[4]张维连,孙军生,檀柏梅,张恩怀,张颖怀.锗对CZ Si中新施主的影响[J]人工晶体学报.2000,(01)
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[5]张维连,孙军生,张恩怀.直拉法生长掺锗硅单晶时氧的控制[J]人工晶体学报.2000,(S1)
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[6]张维连,孙军生,张恩怀.Si_xGe(1-x)合金晶体生长[J]人工晶体学报.2000,(S1)
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[7]张维连,孙军生,张恩怀,李嘉席.利用装置环形永磁场的直拉炉(PMCZ)生长单晶硅和掺锗硅晶体[J]半导体学报.2001,(03)
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[8]张维连,孙军生,张恩怀,李嘉席,吴小双,高树良,胡元庆,刘俊奇.用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性[J]材料研究学报.2001,(04)
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[9]张维连,赵红生,孙军生,张恩怀,陈洪建,高树良,刘涛,胡元庆,李颖辉,郭丽华.大直径FZSi中的微缺陷研究[J]人工晶体学报.2002,(06)
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[10]李嘉席,孙军生,陈洪建,张恩怀.第三代半导体材料生长与器件应用的研究[J]河北工业大学学报.2002,(02)
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