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付生辉
【姓名】
付生辉
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
夹断电压,SI-GaAs,微缺陷,衬底,LECSI-GaAs,跨导,ABEPD,PLmapping,漏电流,位错,MESFET器件,GaAs衬底,MESFET,半绝缘,临界值,性能的影响,GaAs,腐...
【工作单位】
河北工业大学
【曾工作单位】
河北工业大学;
【所在地域】
天津
学术成果产出统计表
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到2篇
[1]徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣.
LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
[J]稀有金属.2004,(03)
[2]徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣.
半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响
[J]半导体学报.2005,(01)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库
共找到1篇
[1]付生辉.
LEC法生长SI-GaAs衬底缺陷对MESFET器件电性能的影响
[D].河北工业大学.2004
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