付浚
【姓名】 付浚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 光导开关,锁定,砷化镓,铜,光导率,模拟,弛豫半导体,半绝缘,电子注入接触,空穴注入接触,开关,碳受主,GaAs,局域振动模,扩散,沉积,半导,空间电荷区,电导率,边带,激发态,吸收带,锁定电压,背栅...
【工作单位】 河北工业大学
【曾工作单位】 河北工业大学;
【所在地域】 天津
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[1]杨瑞霞,李光平,付浚,陈国鹰,孙以才.GaAs中碳受主局域振动模积分吸收的温度关系[J]固体电子学研究与进展.2000,(03)
[2]张富强,杨瑞霞,付浚,于海霞.半绝缘GaAs电传输特性[J]半导体杂志.2000,(02)
[3]杨瑞霞,付浚,于明,于海霞,张富强.杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响[J]半导体杂志.2000,(04)
[4]于海霞,杨瑞霞,付浚.GaAs∶SiCu光导开关的计算机模拟[J]河北工业大学学报.2000,(03)
[5]于海霞,付浚,杨瑞霞,袁炳辉.化学方法实现GaAs表面Cu的沉积[J]河北工业大学学报.2000,(04)
[6]张富强,杨瑞霞,付浚.双侧金属接触半绝缘GaAs的电传输特性[J]河北工业大学学报.2000,(06)
[7]郭惠,杨瑞霞,付浚,刘力锋.GaAs MESFET中的背栅效应[J]半导体情报.2001,(05)
[8]于海霞,杨瑞霞,付浚.砷化镓光控半导体开关[J]半导体杂志.1999,(02)
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