学者知网节

【姓名】	滕晓云
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;仪器仪表工业;
【研究方向】	为半导体光电子材料
【发表文献关键词】	原子力显微镜,GaN,表面形貌,V缺陷,均方根粗糙度,样品,外延层,层厚度,裂纹,研究,工作原理,外延生长,定量信息,平面图,小岛,薄膜,衬底,生长过程,微悬臂,计算机,
【工作单位】	河北工业大学
【曾工作单位】	河北工业大学;
【所在地域】	天津

中国期刊全文数据库 共找到8篇

[1]张建强;刘彩池;周旗钢;王敬;郝秋艳;孙世龙;赵丽伟;滕晓云;.快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响[J]半导体学报.2006,(01)

[2]滕晓云;刘彩池;郝秋艳;赵丽伟;张帷;.Si衬底GaN基材料及器件的研究[J]半导体技术.2006,(02)

[3]朱军山;赵丽伟;孙世龙;滕晓云;刘彩池;徐岳生;.缓冲层温度对Si(11上GaN表面形貌影响[J]液晶与显示.2006,(01)

[4]赵丽伟;滕晓云;郝秋艳;朱军山;张帷;刘彩池;.金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究[J]液晶与显示.2006,(01)

[5]赵丽伟;刘彩池;滕晓云;郝秋艳;朱军山;孙世龙;王海云;徐岳生;冯玉春;郭宝平;.Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示[J]半导体学报.2006,(06)

[6]王其民;赵丽伟;滕晓云;张帷;刘彩池;.原子力显微镜在GaN研究中的应用[J]现代仪器.2006,(04)

[7]赵丽伟;刘彩池;滕晓云;朱军山;郝秋艳;孙世龙;王海云;徐岳生;胡家辉;冯玉春;郭宝平;.S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究[J]人工晶体学报.2005,(06)

[8]朱军山;徐岳生;刘彩池;赵丽伟;滕晓云;.Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究[J]人工晶体学报.2005,(06)

中国博士学位论文全文数据库 共找到1篇

中国重要会议全文数据库 共找到2篇

[1]赵丽伟;滕晓云;郝秋艳;王海云;张帷;刘彩池;.双缓冲层对GaN外延层中缺陷的影响[A].中国有色金属学会第六届学术年会论文集.2005-10-01

[2]孙世龙;郝秋艳;滕晓云;王海云;孙海知;刘彩池;.快速热处理对重掺锑硅片中氧沉淀的影响[A].中国有色金属学会第六届学术年会论文集.2005-10-01

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
0/11	7	8	2	31	2212