孙世龙
【姓名】 孙世龙
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 重掺锑硅单晶,快速退火(RTA),流动图形缺陷(FPDs),空洞缺陷,不同气氛,热稳定性,浓度分布,热行为,掺杂原子,高温快速退火,硅原子,重掺硅,原子力显微镜,数量级,材料研究,硅片,掺杂剂,机制,...
【工作单位】 河北工业大学
【曾工作单位】 河北工业大学;
【所在地域】 天津
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中国期刊全文数据库    共找到5篇
[1]张建强;刘彩池;周旗钢;王敬;郝秋艳;孙世龙;赵丽伟;滕晓云;.快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响[J]半导体学报.2006,(01)
[2]朱军山;赵丽伟;孙世龙;滕晓云;刘彩池;徐岳生;.缓冲层温度对Si(11上GaN表面形貌影响[J]液晶与显示.2006,(01)
[3]赵丽伟;刘彩池;滕晓云;郝秋艳;朱军山;孙世龙;王海云;徐岳生;冯玉春;郭宝平;.Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示[J]半导体学报.2006,(06)
[4]郝秋艳,刘彩池,孙卫忠,张建强,孙世龙,赵丽伟,张建峰,周旗钢,王敬.高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响[J]物理学报.2005,(10)
[5]赵丽伟;刘彩池;滕晓云;朱军山;郝秋艳;孙世龙;王海云;徐岳生;胡家辉;冯玉春;郭宝平;.S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究[J]人工晶体学报.2005,(06)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]孙世龙.快速热处理对重掺杂硅片中氧沉淀的影响[D].河北工业大学.2006
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]徐岳生;刘彩池;王海云;赵丽伟;孙世龙;.直拉硅的现状与发展[A].中国有色金属学会第六届学术年会论文集.2005-10-01
[2]孙世龙;郝秋艳;滕晓云;王海云;孙海知;刘彩池;.快速热处理对重掺锑硅片中氧沉淀的影响[A].中国有色金属学会第六届学术年会论文集.2005-10-01
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