杨瑞霞
【姓名】 杨瑞霞
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体材料和器件的教学和研究工作
【发表文献关键词】 位错密度,GaAs,硅掺杂,晶锭,径向分布,半绝缘GaAs,半绝缘,点缺陷,EL2浓度,位错,本征,碳浓度,方块电阻,热历程,碳分布,反型层,分布均匀性,杂质,不同部位,载流子浓度,转型,热处理,对应...
【工作单位】 河北工学院
【曾工作单位】 河北工学院;
【所在地域】 天津
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[1]付，袁炳辉，杨瑞霞，王林海.用Te、Sn双掺杂改善GaAs液相外延层载流子浓度纵向分布均匀性[J]半导体技术.1994,(02)
[2]杨瑞霞.热处理改善未掺杂LEC　 GaAs中EL2分布均匀性机理的研究[J]固体电子学研究与进展.1994,(01)
[3]杨瑞霞,付濬,李光平.非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究[J]电子科学学刊.1995,(01)
[4]杨瑞霞,刘文杰,李光平,华庆恒.掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL2和位错密度分布[J]固体电子学研究与进展.1988,(03)
[5]杨瑞霞,李光平,华庆恒.LEC GaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL_2分布的影响[J]半导体技术.1990,(03)
[6]杨瑞霞,李光平.半绝缘GaAs热稳定性的研究[J]固体电子学研究与进展.1990,(03)
[7]杨瑞霞,付濬,李光平.LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响[J]半导体技术.1991,(05)
[8]杨瑞霞,李光平.组分和热历程对LEC GaAs中深施主能级(EL2)的影响[J]固体电子学研究与进展.1991,(04)
[9]杨瑞霞;李光平;王琴;.GaAs近红外吸收特性和主要深电子陷阱浓度的测量[J]河北工学院学报.1991,(02)
[10]杨瑞霞;李光平;.未掺杂半绝缘LECGaAs主要特性参数及其与集成电路性能的关系[J]河北工学院学报.1992,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]李光平;汝琼娜;李静;何秀坤;杨瑞霞;.用红外光谱吸收法测定未掺杂半绝缘GaAs中碳浓度和电离EL2浓度及其相互关系[A].第五届华北、东北地区理化会议论文集.1993-09-01
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