我的机构馆
退出
数字图书馆首页
CNKI首页
浏览器下载
帮助
朱军山
【姓名】
朱军山
【职称】
高级工程师;
【研究领域】
无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】
双缓冲层,MOCVD,缓冲层,GaN,表面形貌,金属有机物,外延生长,扫描电子显微镜,双晶,化学气相沉积,X射线衍射,不同温度,外延层,AlN缓冲层,射线衍射,FWHM,发光二极管,GaN薄膜,生长温...
【工作单位】
河北工业大学
【曾工作单位】
河北工业大学;
【所在地域】
广东深圳
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
0
/
6
5
6
4
19
887
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到5篇
[1]赵丽伟;刘彩池;滕晓云;郝秋艳;朱军山;孙世龙;王海云;徐岳生;冯玉春;郭宝平;.
Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示
[J]半导体学报.2006,(06)
[2]朱军山,胡加辉,徐岳生,刘彩池,冯玉春,郭宝平.
双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究
[J]稀有金属.2005,(02)
[3]朱军山,徐岳生,郭宝平,刘彩池,冯玉春,胡加辉.
Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系
[J]半导体学报.2005,(08)
[4]赵丽伟;刘彩池;滕晓云;朱军山;郝秋艳;孙世龙;王海云;徐岳生;胡家辉;冯玉春;郭宝平;.
S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究
[J]人工晶体学报.2005,(06)
[5]朱军山;徐岳生;刘彩池;赵丽伟;滕晓云;.
Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究
[J]人工晶体学报.2005,(06)
更多
中国重要会议全文数据库
共找到1篇
[1]朱军山;徐岳生;黄家乐;洪在地;游飞越;.
移动式太阳能冰箱研究
[A].制冷空调新技术进展——第三届制冷空调新技术研讨会论文集.2005-04-01
更多
研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
陆敏
北京大学
周建辉
北京大学
刘昌军
电子科技大学
过润秋
电子科技大学
克奥
南京电子器件研究所
胡加辉
深圳大学
刘青益
许昌职业技术学院
刘瑛
中国科学院西安光学精密机械研...
李秀如
中国科学院西安光学精密机械研...
张增颜
中国科学院西安光学精密机械研...
张季冬
辽宁省丹东市电子研究所
更多
合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
刘彩池
河北工业大学
2
冯玉春
深圳大学
2
胡加辉
深圳大学
2
徐岳生
河北工业大学
3
郭宝平
深圳大学
2
游飞越
广东科龙电器股份有限公司
1
洪在地
广东科龙电器股份有限公司
1
黄家乐
广东科龙电器股份有限公司
1
更多
该学者文献引用过的学者
(学者,学者单位,篇数)
何乐年
浙江大学
1
徐进
浙江大学
1
更多