张志成
【姓名】 张志成
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 退火,掺GeCZSi,热场,氧沉淀,内吸除,CZSi,直拉硅单晶,氩气流场,热对流,热场分布,氧含量,原生缺陷,氧外扩散,加热器,数值模拟,直拉硅,CZSi单晶,单晶炉,洁净区,数值模,硅单晶,大直径...
【工作单位】 河北工业大学
【曾工作单位】 河北工业大学;
【所在地域】 天津
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[1]任丙彦,刘彩池,张志成,郝秋艳.大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟[J]人工晶体学报.2000,(04)
[2]任丙彦,张志成,刘彩池,郝秋艳.热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响[J]材料研究学报.2001,(03)
[3]任丙彦,张志成,刘彩池,郝秋艳,王猛.Φ6″CZSi热系统的改造对原生缺陷密度的影响[J]中国科学(A辑).2001,(07)
[4]张维连,檀柏梅,孙军生,张恩怀,张志成.CZSi中Ge增强氧外扩散现象[J]半导体杂志.1999,(04)
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