张颖怀
【姓名】 张颖怀
【职称】 讲师;
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多孔硅,上转换,光激发,CZSi,退火,氧沉淀,辐照缺陷,;光致发光,;发光机理,新施主,中子嬗变掺杂,兰光,SixGe1-x合金,荧光,CZ Si,等价掺杂(Ge),SiGe合金,红外,电池材料,光...
【工作单位】 河北工业大学
【曾工作单位】 河北工业大学;
【所在地域】 天津
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[1]张颖怀,陈学广,李玉昌.铝含量对Fe-Al合金耐锌液腐蚀性和机械性能影响[J]河北工业大学成人教育学院学报.2003,(03)
[2]张维连,孙军生,檀柏梅,张恩怀,张颖怀.锗对CZ Si中新施主的影响[J]人工晶体学报.2000,(01)
[3]张颖怀.Si_xGe_(1-x)合金——新型太阳能电池用材料[J]河北工业大学成人教育学院学报.2000,(04)
[4]张维连,檀柏梅,张颖怀,孙军生.锗对CZSi中氧沉淀成核和沉淀形态的影响[J]固体电子学研究与进展.2001,(01)
[5]梁秀红,张颖怀.一种新型光电子材料——SiGe合金晶体[J]河北工业大学成人教育学院学报.2001,(01)
[6]张颖怀.退火对GaAs晶体电学性能的影响[J]河北工业大学成人教育学院学报.2001,(04)
[7]任丙彦,郝秋艳,刘彩池,王海云,张颖怀.大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系[J]半导体技术.2002,(03)
[8]任丙彦,刘彩池,张颖怀,崔德升,王水凤,曾庆城.多孔硅光致发光的非线性光学特性[J]光学学报.1999,(08)
[9]崔德升,刘彩池,任丙彦,张颖怀.多孔硅红外光激发上转换兰光特性[J]河北工业大学学报.1997,(04)
[10]张维连,王志军,孙军生,张颖怀,张恩怀.NTDCZSi中氧的沉淀与吸除[J]功能材料.1998,(06)
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