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于海霞
【姓名】
于海霞
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
光导开关,锁定,砷化镓,EL2,费米能级,霍尔测量,光导率,铜,电离率,模拟,GaAs,半绝缘,弛豫半导体,开关,半绝缘LECGaAs,电子注入接触,霍耳测量,空穴注入接触,电势波动,扩散,沉积,半导...
【工作单位】
河北工业大学
【曾工作单位】
河北工业大学;
【所在地域】
天津
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到6篇
[1]张富强,杨瑞霞,付浚,于海霞.
半绝缘GaAs电传输特性
[J]半导体杂志.2000,(02)
[2]杨瑞霞,付浚,于明,于海霞,张富强.
杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响
[J]半导体杂志.2000,(04)
[3]于海霞,杨瑞霞,付浚.
GaAs∶SiCu光导开关的计算机模拟
[J]河北工业大学学报.2000,(03)
[4]于海霞,付浚,杨瑞霞,袁炳辉.
化学方法实现GaAs表面Cu的沉积
[J]河北工业大学学报.2000,(04)
[5]于海霞,杨瑞霞,付浚.
砷化镓光控半导体开关
[J]半导体杂志.1999,(02)
[6]贾晓华,杨瑞霞,于海霞,张富强.
未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系
[J]河北工业大学学报.1999,(05)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库
共找到1篇
[1]于海霞.
GaAs;Si;Cu光控半导体开关基体材料特性的研究
[D].河北工业大学.2000
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