刘长宇
【姓名】 刘长宇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 化学机械抛光,硬盘容量,平整度,抛光液,硬盘基板,甚大规模集成,铜布线,抛光速率,SiO2介质,去除速率,表面质量,影响因素,粗糙度,硬盘,碱性抛光液,磷化镍,表面粗糙度,玻璃基板,铌酸锂晶体,pH值...
【工作单位】 河北工业大学
【曾工作单位】 河北工业大学;
【所在地域】 天津
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[1]刘长宇;刘玉岭;王娟;牛新环;.计算机硬盘基板及其CMP技术分析研究[J]半导体技术.2006,(08)
[2]刘博;刘玉岭;孙鸣;贾英茜;刘长宇;.ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究[J]微纳电子技术.2006,(09)
[3]孙鸣;刘玉岭;贾英茜;刘博;刘长宇;.ULSI电路层间SiO_2介质CMP工艺与抛光液[J]微纳电子技术.2006,(11)
[4]武晓玲;刘玉岭;王胜利;刘长宇;刘承霖;.pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响[J]半导体技术.2007,(01)
[5]刘长宇;刘玉岭;武晓玲;孙鸣;张伟;.用于硬盘NiP基片CMP的一种碱性SiO_2抛光液[J]微纳电子技术.2007,(01)
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