李晓光
【姓名】 李晓光
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硫钝化,MESFET,饱和源漏电流,GaAs,低温砷化镓,击穿电压,受主缺陷,施主缺陷,功率GaAs,镓铟磷,漏电流,击穿特性,场效应晶体管,栅漏,GaAs表面,MISFET,研究现状与进展,空气桥,...
【工作单位】 河北工业大学
【曾工作单位】 河北工业大学;
【所在地域】 天津
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[1]李晓光,王同祥,李效白,杨瑞霞.硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究[J]河北工业大学学报.2004,(03)
[2]李亚丽,杨瑞霞,李晓光,陈宏江.GaAsMESFET击穿特性的研究现状与进展[J]河北工业大学学报.2004,(06)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]李晓光.砷化镓微波功率场效应晶体管的硫钝化研究[D].河北工业大学.2004
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