陈军宁
【姓名】 陈军宁
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 吸杂技术,VLSI,激光损伤,吸杂,激光损伤吸杂,氧化层错,半导体工业,少子寿命,中子活化分析,微缺陷,超大规模集成电路,Si片,金属杂质,工业发展战略,损伤情况,吸除,热稳定性,析出物,直拉单晶,位...
【工作单位】 合肥工业大学
【曾工作单位】 合肥工业大学;
【所在地域】 合肥
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[1]孙金坛,陈军宁.激光损伤(LID)吸杂技术[J]量子电子学.1985,(01)
[2]付兴华,陈军宁.中国VLSI工业发展战略之我见[J]微电子学.1988,(04)
[3]孙金坛,陈军宁.硅片背面激光损伤的吸杂效果[J]中国激光.1993,(03)
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