陈庆连
【姓名】 陈庆连
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;材料科学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 VO2,相变过程,光电开关,热致变色材料,晶粒大小,开关特性,高低温,内应力,相变温度,应用机理,溅射法,电导率变化,薄膜,合肥工业大学,半导,响应时间,开关器件,关系图,线宽度,相关性,
【工作单位】 合肥工业大学
【曾工作单位】 合肥工业大学;
【所在地域】 安徽合肥
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中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]陈长琦;王君;陈庆连;方应翠;王旭迪;.直流反应磁控溅射法制备VO_2薄膜[J]真空科学与技术学报.2008,(02)
[2]陈长琦,陈庆连,王君,方应翠,王旭迪.VO_2的MIT特性及应用机理[J]红外.2005,(09)
[3]陈庆连,陈长琦,王君,方应翠,王旭迪.DC反应磁控溅射制备VO_2薄膜及XPS分析[J]合肥工业大学学报(自然科学版).2005,(10)
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[1]陈庆连.反应磁控溅射制备VO_2薄膜及表面特征研究[D].合肥工业大学.2006
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]陈长琦;陈庆连;王君;方应翠;王旭迪;.影响反应磁控溅射法制备VO_2薄膜的各种因素[A].TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2005-09-01
[2]陈庆连;陈长琦;方应翠;王君;王旭迪;.影响反应磁控溅射制备VO_2薄膜的各种因素[A].中国真空学会2006年学术会议论文摘要集.2006-10-01
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