学者知网节

【姓名】	张秀淼
【职称】	教授;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】	半导体物理和器件方面的教学和研究
【发表文献关键词】	产生寿命,MOS电容器,计算机辅助测量,产生区宽度,俄歇谱,MOS电容,红外吸收谱,产生区宽度模型,氮化硅膜,氮化硅,深能级中心,寿命分布,陷阱,载流子产生,电压扫描,杂质,强特征,p－n结,空间电荷...
【工作单位】	杭州大学
【曾工作单位】	杭州大学;
【所在地域】	杭州

中国期刊全文数据库 共找到31篇

[2]丁扣宝,张秀淼.深能级中心的电场增强载流子产生效应[J]电子科学学刊.1994,(01)

[3]丁扣宝，胡莲君，张秀淼.电场增强载流子产生中产生电流与宽度的关系[J]微电子学.1995,(06)

[4]丁扣宝,张秀淼,石国华,孙勤生,施建青.电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究[J]电子科学学刊.1995,(03)

[5]丁扣宝,施红军,张秀淼.基于Ieda模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系[J]杭州大学学报(自然科学版).1996,(03)

[6]丁扣宝,张秀淼.长产生寿命的快速测量方法[J]电子科学学刊.1998,(05)

[7]张秀淼,包宗明,苏九令.阶跃电压法确定产生寿命和表面产生速度[J]物理学报.1983,(02)

[8]张秀淼.扩散p-n结的光电流[J]太阳能学报.1983,(04)

[9]张秀淼,贺国根.非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度[J]半导体学报.1983,(05)

[10]张秀淼,顾峰,谢可勋.Al-SiO_2-Si/n系统的r辐照界面效应及退火特性[J]半导体学报.1984,(04)

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
0/31	10	15	21	27	1309