陈汉杰
【姓名】 陈汉杰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MOS结构,表面产生速度,产生寿命,产生区宽度,定体,体产生寿命,半导体,MOS电容,脉冲,瞬态曲线,电流计,反型,电流变化,三角波电压扫描,掺杂浓度,实验记录,均匀样品,阶跃电压,瞬态过程,稳压源,
【工作单位】 杭州大学
【曾工作单位】 杭州大学;
【所在地域】
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[1]张秀森 ,陈汉杰,高军杰,欧海疆.由脉冲MOS结构的Ⅰ-C瞬态确定体产生寿命和表面产生速度[J]杭州大学学报(自然科学版).1985,(03)
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