杨晶琦
【姓名】 杨晶琦
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 稳定电阻,电流增益,达林顿晶体管,电流分配,PtSi,达林顿,成形工艺,饱和压,纳米级,衬底加热,预沉积,衬底温度,退火温度,线度,饱和压降,功率晶体管,退火过程,小岛,高增益,退火处理,互扩散,高温...
【工作单位】 哈尔滨工业大学
【曾工作单位】 哈尔滨工业大学;
【所在地域】
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[1]杨晶琦，徐婀丽，王培林.高增益大功率达林顿晶体管的设计与制造[J]哈尔滨工业大学学报.1994,(03)
[2]王培林,盛文斌,杨晶琦,徐达鸣.纳米级PtSi/Si(111)膜成形工艺与连续性研究[J]半导体学报.1998,(06)
[3]王培林,杨晶琦,宫立波.达林顿晶体管中稳定电阻对电流增益及电流分配的影响行为[J]哈尔滨工业大学学报.1993,(04)
[4]王培林;周士仁;杨晶琦;杨晓辉;.MCZ硅单晶反型杂质含量研究[J]材料科学与工艺.1993,(04)
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