周前能
【姓名】 周前能
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 模拟集成电路设计
【发表文献关键词】 ISFET,温漂,离子敏场效应晶体管,温度补偿,温度特性,衬底杂质浓度,零温度系数,界面电势,源电流,温度系数,MOSFET,离子活度,二极管,参比电极,工作点,敏感膜,电路,ISFET器件,阈值电压...
【工作单位】 哈尔滨工业大学
【曾工作单位】 哈尔滨工业大学;
【所在地域】 哈尔滨
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中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]周前能;王永生;来逢昌;.A capacitor-free CMOS LDO regulator with AC-boosting and active-feedback frequency compensation[J]半导体学报.2009,(04)
[2]周前能;喻明艳;马华;赵新曙;.基于片上DC-DC的CMOS光接收机前置放大器[J]微电子学.2006,(03)
[3]周前能;王永生;喻明艳;叶以正;李红娟;.一种无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源(英文)[J]半导体学报.2008,(08)
[4]冯秀清,石琳,周前能.pH-ISFET的温度特性及其补偿的讨论[J]辽宁工学院学报.2002,(04)
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中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]周前能.片上高性能CMOS电源转换器的研究与设计[D].哈尔滨工业大学.2009
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