邱永鑫
【姓名】 邱永鑫
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;
【研究方向】 光电薄膜材料的研究
【发表文献关键词】 缓冲层,GaSb,AlGaN/GaN超晶格,微观结构,吸收光谱,光致发光,生长速率,分子束外延,发光特性,分子束外延生长,位错密度,光学特性,折射率,晶体质量,外延层,薄膜生长,外延薄膜,超晶格材料,...
【工作单位】 哈尔滨工业大学
【曾工作单位】 哈尔滨工业大学;
【所在地域】 黑龙江哈尔滨
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[1]邱永鑫;李美成;熊敏;张宝顺;刘国军;赵连城;.半导体异质结界面处Sb/As交换反应研究[J]稀有金属材料与工程.2009,(11)
[2]熊丽;李美成;邱永鑫;张保顺;李林;刘国军;赵连城;.GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生长与发光特性[J]稀有金属材料与工程.2007,(02)
[3]熊丽;李美成;邱永鑫;张保顺;李林;刘国军;赵连城;.缓冲层生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响[J]功能材料.2007,(06)
[4]熊丽;李美成;邱永鑫;张保顺;李林;刘国军;赵连城;.不同厚度对分子束外延生长GaSb薄膜的影响[J]功能材料.2008,(10)
[5]李美成,邱永鑫,李洪明,赵连城.MOCVD外延Al_2O_3基AlGaN/GaN超晶格的结构和光学特性[J]稀有金属材料与工程.2005,(09)
[6]邱永鑫;李美成;赵连城;.InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结构[J]功能材料.2005,(09)
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中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]邱永鑫.InAs/GaSb超晶格界面微观结构研究[D].哈尔滨工业大学.2008
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