刘振茂
【姓名】 刘振茂
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 高温压力传感器,多晶硅,安全工作区,二次击穿,稳态热阻,硅压力传感器,B_(i2)T_(e3)--Sb_2T_(e3)--Sb_2S_(e3),磁场,三元半导体致冷晶体,碲化镉β-射线探测器,应变电阻...
【工作单位】 哈尔滨工业大学
【曾工作单位】 哈尔滨工业大学;
【所在地域】 黑龙江哈尔滨
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[1]张国威,叶水驰,李海军,刘振茂.两段式结构赝三元材料热电模块的研究[J]材料科学与工艺.2004,(05)
[2]刘晓为,王蔚,王喜莲,刘玉强,刘振茂.微传感器和执行器的计算机模拟技术[J]传感器技术.2000,(03)
[3]曹一江,刘振茂.克服低击穿的硅平面技术[J]哈尔滨理工大学学报.2002,(04)
[4]刘晓为,张国威,刘振茂,理峰.硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性[J]半导体学报.1994,(06)
[5]刘振茂,赵秀平,李志伟,张国威,权五云.半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究[J]哈尔滨工业大学学报.1994,(05)
[6]刘振茂,张好源,张国威,理峰.碲化镉新型β-射线探测器的研制[J]传感技术学报.1994,(02)
[7]赵秀平,梁丽新,董兴木,荣剑英,赵洪安,刘振茂.在磁场中生长半导体致冷晶体的研究[J]黑龙江电子技术.1994,(01)
[8]刘晓为,车伟,王蔚,李新,刘玉强,刘振茂,范茂军.微泵膜片在静电驱动下的计算机模拟[J]哈尔滨工业大学学报.1998,(06)
[9]王贵华,刘振茂.硅中退火多边化[J]物理学报.1966,(04)
[10]刘振茂.电子元器件粗检漏方法的物理分析与实验[J]半导体技术.1978,(05)
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