陈士芳
【姓名】 陈士芳
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 ISFET器件,太阳电池,双面对版,AIN薄膜,双功能,ISFET,Ta_2O_5,哈尔滨工业大学,接触式曝光,敏感膜,温度补偿,CZ法,反应溅射,单晶,温度补偿技术,热对流,氧含量,电阻率,生长界面...
【工作单位】 哈尔滨工业大学
【曾工作单位】 哈尔滨工业大学;
【所在地域】
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[1]武世香，陈士芳，王东红，王喜莲，孙淑芳.Ta_2O_5敏感膜H~＋－ISFET研究[J]哈尔滨工业大学学报.1994,(04)
[2]武世香，邹斌，陈士芳.一种新型接触式双面对版曝光机[J]电子工业专用设备.1994,(02)
[3]夏立芳，王佐诚，孙跃，马欣新，陈士芳.AIN薄膜的成分、相结构和氧化性能[J]材料研究学报.1995,(04)
[4]陈士芳,王殿升.直流反应溅射Al_2O_3膜工艺探讨及应用[J]哈尔滨工业大学学报.1985,(A8)
[5]陈士芳,王东红,张玉良,胡世春,王贵华,虞惇.pH-T双功能集成ISFET器件的研究[J]传感器技术.1987,(Z1)
[6]高元恺,韩爱珍,陈士芳,张洪涌.MCZ-Si与太阳电池[J]半导体技术.1993,(04)
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