邹斯洵
【姓名】 邹斯洵
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 刻蚀速率,硅化钨,MOSFET,边墙,反应离子刻蚀,FIPOS,多孔氧化硅,自终止,反应气体,SOI技术,硅膜,阳极化反应,轻掺杂漏,高选择,多晶硅,激光干涉,自对准,氧化层,二氧化硅,顶层硅,XTE...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]黄宜平,李爱珍,邹斯洵,李金华,竺士炀.高选择和自终止多孔氧化硅SOI技术研究[J]半导体学报.1997,(12)
[2]邹斯洵,李宁.硅化钨polycide的反应离子刻蚀[J]半导体技术.1988,(06)
[3]陈晓,邹斯洵,周世芳.SiO_2边墙技术及在LDD MOSFET中的应用[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
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