周世芳
【姓名】 周世芳
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MOSFET,硅化钛,边墙,自对准,As离子注入,MOS器件,轻掺杂漏,自对准结构,高温退火,PN结,NMOS,技术研究,选择腐蚀,反应离子刻蚀,漏区,结深,硅化物工艺,杂质,Si界面,MOS晶体管,...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】
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[1]陈晓,邹斯洵,周世芳.SiO_2边墙技术及在LDD MOSFET中的应用[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[2]周世芳,李炳宗,Paul Chu,Clive M.Jones.As离子注入硅化钛自对准MOS器件技术研究[J]电子学报.1991,(01)
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