张开明
【姓名】 张开明
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 超晶格,闪锌矿结构,直接能隙,声子谱,形变,能级,导带,深能级,悬挂键,折迭,砷化镓,能带结构,价带,半导体,CuO和Cu_2O（110）面,CO和NO选择吸附,砷化镓表面,DV－X_α方法,替位杂质...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]危书义,马丽,杨宗献,戴宪起,张开明.Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质[J]半导体学报.2003,(10)
[2]黄丹耘,车静光,张开明.Rh超薄膜在Mo(111)及W(111)上引起｛110｝小面再构的可能性[J]物理学报.1999,(10)
[3]彭彤，叶令，张开明.硫对砷化镓表面悬挂键的饱和作用[J]复旦学报(自然科学版).1995,(02)
[4]段玉华,张开明,伏义路.CO和NO在CuO及CU_2O(110)表面吸附选择规律研究[J]物理化学学报.1995,(05)
[5]杨中芹，徐至中，张开明.生长在GaSb_xP_（1－x）（001）衬底上GaP的能带结构[J]固体电子学研究与进展.1996,(04)
[6]段玉华,张开明,谢希德.β-C_3N_4,β-Si_3N_4和β-Ge_3N_4的能带结构[J]物理学报.1996,(03)
[7]乔皓，徐至中，张开明.形变的SiGe合金中的深能级[J]应用科学学报.1996,(03)
[8]张开明.星像的典型实照函数[J]数学学报.1958,(01)
[9]夏道行,张开明.关于丛属函数的几个不等式[J]数学学报.1958,(03)
[10]张开明.圆环上半纯的典型实照函数[J]数学学报.1959,(01)
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