徐晨曦
【姓名】 徐晨曦
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子注入,二维模拟,IC工艺,工艺模型,再分布,氧注入,VLSI工艺,离子注,工艺模拟,SIMOX,热退火,模拟器,杂质,改进模型,氧分布,SOI结构,退火过程,数值模拟,杂质分布,高斯分布,集成电路...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
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[1]徐晨曦.在退火过程中离子注入杂质再分布的二维精确解析模型[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[2]徐晨曦,阮刚,王建伟.二维离子注入的改进模型及数值模拟[J]半导体学报.1988,(03)
[3]阮刚,徐晨曦,俞强.注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟[J]半导体学报.1989,(07)
[4]徐晨曦,阮刚.适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS[J]电子学报.1990,(06)
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